研究了InGaAs／InP材料的MOCVD生长技术和材料的性能特征。InP衬底的晶向偏角能够明显影响外延生长模型以及外延层的表面形貌，用原子......

通过对301 K时,不同过饱和度以及掺杂2．5％（摩尔分数）尿素（σ＝0．09）条件下生长的 ZTS 晶体进行AFM非实时扫描,对其（100）面的基本台阶以及聚并......